從而使分析結果更精確，因此所采用的半導體器

件模型要比前面所介紹的復雜得多。

   通常，建立器件模型的方法有兩種，一種是建立在器件物理原理基礎上的模型，另一種是根據(jù)器件外特性(如輸人、輸出特性)構造的模型。哈默納科CAD建模諧波減速器SHG-65-160-2UH在電子電路CAD中，半導體器件大都以*種方法建模，它們必須能夠反映復雜的特性，因而模型參數(shù)較多。例如，晶體管和場效應管的模型參數(shù)就有40個之多，即使比較簡化的EM2模型，也有十幾個參數(shù)。

   目前國際各種電子電路計算機輔助設計工具軟件，幾乎都是以美國加利福尼亞大學柏克萊分校所開發(fā)的SPICE 程序為基礎實現(xiàn)的。各商用軟件都作了許多實用化工作，如圖形化輸人、提供豐富的器件模型庫參數(shù)等。

一、高壓容器在工業(yè)生產(chǎn)中的應用

   1833年法國巴黎大學教授Lame和Clapeyron得出哈默納科CAD建模諧波減速器SHG-65-160-2UH了厚壁圓筒平衡公式和應力分布公式，提出了在圓筒內(nèi)施加壓力時其內(nèi)部的應力分布，從而為高壓容器的發(fā)展奠定了理論基礎。

   1888年法國學者Lechatlier首先提出利用壓力這個因素來促進氫氮的反應及提高氨產(chǎn)量的著名原理及設想。繼而德國化學家Haber等繼續(xù)進行了這方面的研究，并從設備上解決了問題